半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011191913.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114446936A | 公开（公告）日 | 2022-05-06 |
| 申请公布号 | CN114446936A | 申请公布日 | 2022-05-06 |
| 分类号 | H01L23/60（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I;H01L21/84（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄河;汪新学;徐海瑛;王敬平 | 申请（专利权）人 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 代理机构 | 北京思创大成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张立君 |
| 地址 | 201210上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法，其中，半导体基板从下至上包括：叠置的衬底层、绝缘层和半导体层；所述绝缘层和所述半导体层在所述衬底层表面方向上的投影位于所述衬底层的边界内；静电环，环绕于所述绝缘层和所述半导体层的外周，且所述静电环的内侧壁与所述半导体层的外侧壁相接，所述静电环的底部延伸至所述衬底层；所述半导体基板包括器件区和非器件区，所述静电环设置于所述非器件区。本发明通过在半导体基板的绝缘层和半导体层的外周形成连接衬底层和半导体层的静电环，在后续刻蚀工艺中在半导体层中产生的静电荷可以通过静电环进入衬底层，防止尖端放电。 |
