一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片双重保护电路
基本信息
| 申请号 | CN202022580958.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213846532U | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN213846532U | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H02M1/32（2007.01）I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 陈维忠;孟德成;周炳星 | 申请（专利权）人 | 南京长亚轨道交通科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京新慧恒诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 房鑫磊 |
| 地址 | 210031江苏省南京市江北新区七里桥北路1号顶山都市产业园16栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片双重保护电路，包括电源隔离变压模块、开关驱动单元、限流保护单元和NMOS管，电源隔离变压模块用于电压转换为开关驱动单元和限流保护单元供电，限流保护单元通过采样电阻进行电流采样，采样结果反馈给MCU模块，MCU模块根据采样结果控制NMOS管导通或截止；本实用新型电路结构简单，在为负载提供过饱和保护功能外，还可以有效实现限流保护功能，从而使基于光耦隔离的MOSFET/IGBT驱动芯片应用电路具有限流保护和过饱和保护双重保护功能，满足市场对中、小功率保护电路的应用需求。 |
