一种适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统
基本信息
| 申请号 | CN202120111015.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214327882U | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN214327882U | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | C23C16/50（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/448（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王玉明;周玉龙;孙烨;张庶;李敦信;张欣;闫宝杰;李轶军;杨宝海 | 申请（专利权）人 | 营口金辰机械股份有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 | 代理人 | 周涛 |
| 地址 | 115000辽宁省营口市沿海产业基地新港大街95号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统属于管式PECVD设备制备氧化层工艺设备技术领域。具体地说，本实用新型提供一种能在沉积基体上化学吸附并反应形成沉积膜，从而能制备出较薄且均匀性、一致性好的氧化层膜的适用于PECVD设备制备氧化层工艺的气路传输系统。本实用新型的特征在于：特气气路包括源管道、第一管道、第二管道、氮气管道和氧气管道。所述气源气路包括氮气气源、氧气气源和氩气气源。所述氮气气源通过特气气路的氮气管道与反应腔连接；所述氧气气源通过特气气路的氧气管道与反应腔连接；所述氩气气源通过特气气路的源管道与反应腔连接，反应腔末端为真空泵。 |
