一种提高ITO透明电极与p型III-V族半导体材料的接触性能的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110349040.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113161460A | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN113161460A | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | H01L33/42（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒋盛翔;付建波;宗华;张晓蓉 | 申请（专利权）人 | 广西飓芯科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 邱晓锋 |
| 地址 | 545003广西壮族自治区柳州市杨柳路与通贤路交叉路口北部生态新区创业园二期（智能电网标准厂房）-1-1＃楼第一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种提高ITO透明电极与p型III‑V族半导体材料的接触性能的方法。该方法中，ITO电极的制备过程包括生长工艺和退火工艺，所述退火工艺包括两个阶段：第一阶段为，第二阶段为纯氮气氛围退火。退火工艺主要有两个目的，第一是形成良好的欧姆接触，使得电极有较低的比接触电阻率，第二是有较好的透光性，降低对光的吸收。本发明的核心是通过改进ITO电极的生长和退火工艺来获得低至10Ω·cm的比接触电阻率，同时兼顾较高的平面导电性和高的透光率，这极大的提高了Ⅲ/Ⅴ族氮化物半导体光电器件的性能，推进了其广泛应用，具有重要的科技意义和经济价值。 |
