一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110256743.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113421917A | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN113421917A | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H01L29/45（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L33/40（2010.01）I;H01S5/042（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宗华;付建波;蒋盛翔;张晓蓉 | 申请（专利权）人 | 广西飓芯科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 邱晓锋 |
| 地址 | 545003广西壮族自治区柳州市杨柳路与通贤路交叉路口北部生态新区创业园二期（智能电网标准厂房）-1-1＃楼第一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种降低p型III‑V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法。该方法使用一组优化的参数来生长接触层，包括：使用N2、H2混合载气生长接触层；使用TMGa生长接触层；使用较高的反应腔室气压来生长接触层；在较高温度和较低In源流量的条件下生长接触层。本发明提高了接触界面的空穴浓度，使得接触电极与半导体界面的肖特基势垒变薄，电子可以通过隧穿效应穿过界面势垒，形成良好的欧姆接触，降低接触电阻，进而降低发热量，提高器件寿命。本发明对降低比接触电阻率有优异的效果，并且具有制备效率高，材料适应性更广泛的特点，从而更具有使用价值。 |
