低功耗单栅非挥发性存储器
基本信息
| 申请号 | CN201410168306.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103928053B | 公开（公告）日 | 2017-06-09 |
| 申请公布号 | CN103928053B | 申请公布日 | 2017-06-09 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 陈力颖;杨晓龙;杨亚楠;秦战明 | 申请（专利权）人 | 北京中泽艾派克斯光电技术股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 300387 天津市西青区宾水西道399号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是一种与标准CMOS工艺兼容的低功耗单栅非挥发性存储器。它由多个存储单元和电平预置单元电路组成。每个存储单元包括：电荷注入晶体管(N1)、电荷泄放晶体管(P1)、隧穿选择晶体管(P2)以及输出控制晶体管(N2)；每个电平预置单元包括：三个反相器(INV1)(INV2)(INV3)和电平预置晶体管(P3)。采用NMOS作为读取管，使得存储器控制端少，所需控制电压种类也少，无需负电压，因而控制简单。因为与CMOS工艺兼容，所以本发明具有功耗低、成本低的优点。 |
