超临界流体制备高纯度硅的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910639067.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112209381A | 公开（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申请公布号 | CN112209381A | 申请公布日 | 2021-01-12 |
| 分类号 | C01B33/023(2006.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 彭靖;马承愚;彭英利;周玉 | 申请（专利权）人 | 深圳市智合碳硅科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518109广东省深圳市龙华区龙华街道玉翠社区昌永路智和科技园5号203 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 采用超临界水作为制备高纯硅的介质，在超临界状态(500‑600℃和25‑35MPa)下及氢气参与下，对同程进入反应系统的硅质原料进行处理，使硅材料中的微量杂质发生分离和还原反应，在较短时间内，杂质被去除，同时还原成为高纯度硅单质。制备过程中，超临界水与H2合理配合，在高温高压条件下和密闭的反应装置中形成均相的超临界混合流体，以极快速度(1‑3min)使硅原料发生溶解、还原、去杂、聚集和沉积分离过程，制备出高纯度晶体硅。 |
