发热芯片的制备方法和发热芯片
基本信息
| 申请号 | CN202111031307.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114040525A | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN114040525A | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | H05B3/14（2006.01）I;H05B3/20（2006.01）I;B32B33/00（2006.01）I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 李永武;杨敏 | 申请（专利权）人 | 光之科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100086北京市海淀区成府路45号中关村智造大街F座二层211 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提出一种发热芯片的制备方法及发热芯片。制备方法包括选取一基材，并在基材表面涂布预涂层，并将预涂层进行第一次固化；在预涂层上涂布硬化材料，以形成硬化层，并将硬化层进行第二次固化；在硬化层表面真空溅射制热材料，以形成电热转换层；将基材和电热转换层封装，形成发热芯片。本发明利用预涂层减小基材表面粗糙度，避免基材上的凸起在热压过程中对电热转换层造成破坏，硬化层防止基材因加热导致软化变形，提高制热材料与基材的结合力，从而提高发热芯片的稳定性。 |
