一种磁场辅助激光诱导等离子体加工装置
基本信息
| 申请号 | CN202220081962.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216864385U | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN216864385U | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C30B33/12（2006.01）I;C30B29/20（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 江安娜;李卓;陈嘉林;卢希钊;姜峰 | 申请（专利权）人 | 华侨大学 |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 362000福建省泉州市丰泽区城东城华北路269号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种磁场辅助激光诱导等离子体加工装置，包括加工工作台部分和激光器部分；加工工作台部分包括工作台、电磁铁装置、金属靶材、夹具和工件；电磁铁装置包括磁轭和直流电源控制系统，磁轭的每一侧部都固装有极柱和线圈，直流电源控制系统电接线圈以使极头中心区域产生磁场；金属靶材直接固装在磁轭的中间部上，工件位于金属靶材之上且二者平行间隔布置，工件与金属靶材之间的间隔始终处于磁场区域内；激光器发出激光束，激光束经扫描振镜转向后通过聚焦透镜聚焦在工件下方的金属靶材上并与金属靶材发生相互作用。它具有如下优点：具有更高精度、更快加工速度、更好表面完整性、更小暗损伤、更低表面粗糙度、更小热影响区。 |
