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发光二极管以及发光二极管制备方法

基本信息

申请号	CN201911119309.1	申请日	-
公开（公告）号	CN110707188B	公开（公告）日	2021-05-04
申请公布号	CN110707188B	申请公布日	2021-05-04
分类号	H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/00	分类	基本电气元件;
发明人	王晟	申请（专利权）人	芜湖德豪润达光电科技有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	石慧
地址	241000 安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号
法律状态	-

摘要

本申请提供一种发光二极管以及发光二极管制备方法。AlN层可以提高能阶，阻挡电子溢流。掺镁In_xAl_yGa_1‑x‑yN层可以缓解晶格匹配以及提高所述P型半导体层的能阶，进而更有利于空穴注入。所述掺镁InGaN层通过增加镁的含量可以提高空穴浓度。此时，通过每个子半导体层中AlN层、掺镁In_xAl_yGa_1‑x‑yN层以及掺镁InGaN层可以保证晶格质量的同时提高Mg的有效活化，增加空穴浓度。同时，通过AlN层、掺镁In_xAl_yGa_1‑x‑yN层以及掺镁InGaN层可以优化能阶，进而阻挡电子溢流的同时增加空穴浓度。从而，通过阻挡电子溢流的同时增加空穴浓度，可以提高外延良率和发光效率。