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发光二极管和发光二极管制备方法

基本信息

申请号 CN201911119307.2 申请日 -
公开（公告）号 CN110854246A 公开（公告）日 2020-02-28
申请公布号 CN110854246A 申请公布日 2020-02-28
分类号 H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 王晟 申请（专利权）人 芜湖德豪润达光电科技有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 芜湖德豪润达光电科技有限公司
地址 241000 安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种发光二极管和发光二极管制备方法。每个子层结构包括第一量子阱结构以及多个第二量子阱结构。第一量子阱结构替换传统的量子垒层结构。多个第二量子阱结构设置于第一量子阱结构，形成更深层次的量子阱结构。并且，每个第二量子阱结构的厚度小于第一量子阱结构的厚度，使得第二量子阱结构相比于第一量子阱结构形成窄的量子阱结构。此时，将传统结构中的量子垒替换为所述第一量子阱结构。通过多个第二量子阱结构使得多量子阱层中形成多个子层深窄多量子阱结构，相比于传统的量子阱变得更深，使得量子阱对电子和空穴的限制能力更好，减小发光波长的半宽，产生波色更纯的、发光强度更强的指定波段。