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发光二极管制备方法和发光二极管

基本信息

申请号	CN201911118821.4	申请日	-
公开（公告）号	CN110828623B	公开（公告）日	2020-02-21
申请公布号	CN110828623B	申请公布日	2020-02-21
分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I	分类	-
发明人	王晟	申请（专利权）人	芜湖德豪润达光电科技有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	芜湖德豪润达光电科技有限公司
地址	241000安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号
法律状态	-

摘要

本申请提供一种发光二极管制备方法和发光二极管。在三甲基镓层生长时，NH3流量开大，H2流量开小，使得三甲基镓生长速度较快，生长速度控制在N型半导体层生长速度的1/3～1/5。在三乙基镓层生长时，NH3流量开小，H2流量开大，使得三乙基镓生长速度较慢，生长速度约为三甲基镓层生长速度的1/10～1/20。通过控制三乙基镓层生长速度，可以使得表面原子充分重组。并且，采用三乙基镓生长和H2的量增加，使得C含量下降，进而减少了V‑pits，降低了缺陷密度。通过S20和S30，避免了V‑pits成长过快导致的缺陷，提高了外延生长质量及外延片表面形貌正常，并且减少了过多的V‑pits导致的缺陷，不易于延伸至量子阱层，进而提高了多量子阱层的生长质量，提高了空穴与电子的复合效率。