非极性面Ⅲ族氮化物外延结构及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201811003470.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109148654B | 公开(公告)日 | 2020-04-07 |
申请公布号 | CN109148654B | 申请公布日 | 2020-04-07 |
分类号 | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/32 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 邢琨;陈刚毅;王江涛 | 申请(专利权)人 | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
地址 | 241000 安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种非极性面Ⅲ族氮化物外延结构,包括衬底以及外延生长在所述衬底的非极性面上的相互间隔的多个二次外延柱状结构,所述二次外延柱状结构包括沿垂直于所述衬底的所述非极性面方向依次叠加的成核层、第一非极性面Ⅲ族氮化物层、掩膜层以及第二非极性面Ⅲ族氮化物层,所述第一非极性面Ⅲ族氮化物层和所述第二非极性面Ⅲ族氮化物层的外延生长表面为Ⅲ族氮化物的非极性面。本发明还公开了一种非极性面Ⅲ族氮化物外延结构的制备方法。 |
