发光二极管及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910359919.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110085712B | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN110085712B | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/30（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 纪秉夆;曾颀尧;李若雅;邢琨;陈柏松 | 申请（专利权）人 | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 景怀宇;李双皓 |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种发光二极管及其形成方法。一种发光二极管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；制备N型半导体层，覆盖所述第一表面；制备多量子阱结构层，覆盖所述N型半导体层；制备能带扭曲结构层，覆盖所述多量子阱结构层，所述能带扭曲结构层包括层叠设置的铝氮化镓层和P型铝氮化铟层，所述铝氮化镓层设置于所述P型铝氮化铟层和所述多量子阱结构层之间；以及制备P型半导体层，覆盖所述能带扭曲结构层。该形成方法所形成的发光二极管，可以使空穴集中于能带扭曲结构层，从而提升空穴数量，进而提升电子空穴的复合几率，提升发光二极管的发光效率。 |
