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晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法

基本信息

申请号 CN202011337031.8 申请日 -
公开（公告）号 CN112466850A 公开（公告）日 2021-03-09
申请公布号 CN112466850A 申请公布日 2021-03-09
分类号 H01L23/552(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李林萍;盛荆浩;江舟 申请（专利权）人 杭州星阖科技有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 李婷婷
地址 310016浙江省杭州市上城区钱江国际商务中心1416室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法，所述晶圆级自屏蔽封装结构包括基板和位于基板上的多个第一半导体器件和第二半导体器件，以及屏蔽墙，其中，第二半导体器件包括第一衬底、第一屏蔽层、介质层，以及位于介质层侧壁的第二屏蔽层，屏蔽墙与所述基板上的导电部电性连接，通过在第二半导体器件内部形成第一屏蔽层，结合第二屏蔽层和屏蔽墙，再与基板上的导电部电性连接进行接地，从而使得第二半导体器件本身具有电磁屏蔽结构，然后再将其贴装在基板上后，与其他半导体器件之间形成电磁屏蔽，制作工艺简单、还能起到散热作用，且避免占用产品较多的面积，实现了封装结构的小型化和轻量化。