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晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法

基本信息

申请号 CN202011337021.4 申请日 -
公开（公告）号 CN112466849A 公开（公告）日 2021-03-09
申请公布号 CN112466849A 申请公布日 2021-03-09
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李林萍;盛荆浩;江舟 申请（专利权）人 杭州星阖科技有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 李婷婷
地址 310016浙江省杭州市上城区钱江国际商务中心1416室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法，包括基板和位于基板上的多个第一半导体器件和第二半导体器件，其中，多个第二半导体器件包括衬底和位于衬底侧壁上的第一屏蔽层，晶圆级自屏蔽封装结构还包括屏蔽墙，其中，屏蔽墙同时与基板上的导电部以及衬底侧壁的第一屏蔽层电性连接，衬底背离基板的表面还设置有第二屏蔽层，第二屏蔽层与第一屏蔽层电性连接，通过第一屏蔽层、第二屏蔽层和屏蔽墙与基板上的导电部电性连接进行接地，从而使得第二半导体器件本身具有电磁屏蔽结构，再将其贴装在基板上后，与其他半导体器件之间形成电磁屏蔽，制作工艺简单、还能起到散热作用，且避免占用产品较多的面积，实现了封装结构的小型化和轻量化。