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低电容单向瞬态电压抑制器

基本信息

申请号	CN201310299076.4	申请日	-
公开（公告）号	CN103413807A	公开（公告）日	2013-11-27
申请公布号	CN103413807A	申请公布日	2013-11-27
分类号	H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	赵杰;翟东媛;赵毅	申请（专利权）人	绍兴米来电子科技有限公司
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙）	代理人	常州子睦半导体有限公司;南京大学;绍兴米来电子科技有限公司
地址	213164 江苏省常州市常武中路801号常州科教城科教会堂南楼2309室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一P阱上设有第一N-有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一N-有源注入区上设有第三P+有源注入区；所述的第二N+和第三P+有源注入区、第一N+第一P+及第二P+有源注入区分别通过金属连接并引出。本发明的技术方案可在被保护器件的正常工作电压下，不会影响数据的高速传送，保证了大电流的泄放能力，而且具有更好地电流泄放能力。