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一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件

基本信息

申请号 CN201410148707.7 申请日 -
公开（公告）号 CN103956389B 公开（公告）日 2017-07-11
申请公布号 CN103956389B 申请公布日 2017-07-11
分类号 H01L29/872;H01L21/338 分类 基本电气元件;
发明人 蔡银飞;翟东媛;赵毅;施毅 申请（专利权）人 绍兴米来电子科技有限公司
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） 代理人 绍兴米来电子科技有限公司;南京大学
地址 312099 浙江省绍兴市舜江路683号21楼2111室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N‑外延层，位于N+半导体衬底上；N‑外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N‑外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N‑外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。