Ge基三栅器件及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201310015376.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103219381B | 公开（公告）日 | 2016-03-30 |
| 申请公布号 | CN103219381B | 申请公布日 | 2016-03-30 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵毅;孙家宝;施毅;赵杰;董晓宇 | 申请（专利权）人 | 绍兴米来电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 南京大学;常州子睦半导体有限公司;绍兴米来电子科技有限公司 |
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种锗基三栅器件及其制造方法，该锗基三栅器件主要包括四个功能层：绝缘层上的锗（GOI）基底、氧化锗过渡层、栅极介质层、栅电极层。其中经过臭氧后氧化工艺实现的高质量超薄氧化锗过渡层和经过臭氧后氧化改善的高质量栅极介质层是实现高性能的关键层，通过牺牲氧化工艺去除锗体表面质量较差（表面粗糙度大、杂质含量高）的锗是实现高性能的关键步骤。制造过程主要包括在绝缘层上的锗（GOI）基底上沉积并刻蚀制作各功能层。本发明具有较高的效率和较低的耗电量，且制造方法简单，适于广泛应用到实际生产中。 |
