一种IO口间无相互干扰的低电容多通道瞬态电压抑制器
基本信息
| 申请号 | CN201410673950.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104465649B | 公开（公告）日 | 2017-10-03 |
| 申请公布号 | CN104465649B | 申请公布日 | 2017-10-03 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡银飞;翟东媛;蒋金鸿;朱俊;赵毅 | 申请（专利权）人 | 绍兴米来电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 绍兴米来电子科技有限公司 |
| 地址 | 312099 浙江省绍兴市舜江路683号21楼2111室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 低电容多通道瞬态电压抑制器，包括P+半导体衬底，P‑外延层位于P+半导体衬底上；外延层上从左到右分别有包含第一环形P+有源注入区的左端，第一N阱，第一环形P+有源注入区的右端，第二N阱，第一P阱，第三N阱，第二环形P+有源注入区的左端，第四N阱，第二环形P+有源注入区的右端。所述的第一N阱和第四N阱上分别设有第一N+有源注入区和第五N+有源注入区；所述的第二N阱上设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一P阱上设有第三N+有源注入区；所述的第三N阱上设有第四N+有源注入区和第三P+有源注入区。 |
