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利用二段式石英喷嘴清洗硅片的装置及方法

基本信息

申请号 CN201910490436.6 申请日 -
公开（公告）号 CN110335835B 公开（公告）日 2021-07-16
申请公布号 CN110335835B 申请公布日 2021-07-16
分类号 H01L21/67;H01L21/02;B08B3/14;B08B3/02 分类 基本电气元件;
发明人 杉原一男;贺贤汉;赵剑锋 申请（专利权）人 上海申和热磁电子有限公司
代理机构 上海申浩律师事务所 代理人 龚敏
地址 200444 上海市宝山区山连路181号1幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种利用二段式石英喷嘴清洗硅片的装置及方法，在硅片面的中央部和外周部分别使用不同的水流进行清洗，使用4排喷嘴，2排硅片中央部清洗喷嘴集中清洗硅片的中央部区域，2排硅片外周部清洗喷嘴主要集中清洗硅片的边缘部，设置一定的时差按照同一流速针对每枚硅片的不同位置设置冲洗点。两种喷嘴交替喷流，保证每个喷嘴可以按照同一流量供给药液，防止由于流量不足而导致槽内硅片之间的间隙流量不均衡或单枚硅片面内水流分布不均一，使该处的影响控制到最小化。使用不同的水流组合，使硅片的整面都可以充分得到清洗，减少颗粒数量。