一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺及其装置
基本信息
| 申请号 | CN202110858667.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471067A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113471067A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 贺贤汉;原英樹;杉原一男;佐藤泰幸 | 申请（专利权）人 | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 代理机构 | 铜陵市天成专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 李坤 |
| 地址 | 201900上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及晶圆再生技术领域，公开了一种废晶圆表面膜剥离再生处理工艺及其装置，该工艺具体包括如下步骤：在再生晶圆两侧表面形成一层流动的化学腐蚀试剂薄膜，对再生晶圆表面的氧化膜进行化学腐蚀；在上述步骤完成后，在再生晶圆两侧表面形成一层流动的研磨抛光油膜，对再生晶圆表面的氧化膜进行研磨剥离；在上述步骤完成后，在再生晶圆两侧表面形成一层流动的清洗液膜，对再生晶圆表面剥离下的氧化膜进行清洗。本发明采用晶圆表面化学试剂流动薄膜腐蚀、油膜保护下的氧化膜剥离和晶圆表面切应力清洗的三步连续处理工艺，有效提高废晶圆再生处理的效率以及质量。 |
