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一种硅片清洗方法

基本信息

申请号	CN201910546947.5	申请日	-
公开（公告）号	CN110335807B	公开（公告）日	2021-08-06
申请公布号	CN110335807B	申请公布日	2021-08-06
分类号	H01L21/02;H01L21/67	分类	基本电气元件;
发明人	杉原一男;贺贤汉;赵剑锋	申请（专利权）人	上海申和热磁电子有限公司
代理机构	上海申浩律师事务所	代理人	龚敏
地址	200444 上海市宝山区山连路181号1幢
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种硅片清洗方法，包括SC‑1清洗、臭氧水清洗、DIW清洗、HF处理以及提拉干燥五个主要步骤，将现有技术中SC‑1清洗后的纯水溢流清洗步骤替换为臭氧水清洗，硅片经SC‑1清洗后，以竖直状态放入臭氧水清洗槽中浸泡5～7min，立即打开槽底的急速排液阀门进行急速排液，并在排液同时打开两个喷管，喷管上的喷嘴同时均一的对硅片两面进行喷淋，每个喷嘴的喷水压为0.2～0.3MPa，流量为2～3l/min，硅片和喷嘴的间隔为10～15cm。通过喷淋使得硅片上的金属氢氧化物复离子在短时间内被快速氧化成氢氧化物，该氢氧化物在喷淋液流的作用下流向臭氧水清洗槽底，并通过急速排液阀门被快速排出，使其既没有停留时间，也没有再附着的机会，从而实现了金属氢氧化物复离子的去除。