一种用于AMB覆铜陶瓷基板图形制作的热刻蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN201910904378.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110767552B | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN110767552B | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;B23K26/362(2014.01)I;B23K26/70(2014.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 孙泉;贺贤汉;王斌;陆玉龙;戴洪兴 | 申请（专利权）人 | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海申浩律师事务所 | 代理人 | 赵建敏 |
| 地址 | 224200 江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于AMB覆铜陶瓷基板图形制作的热刻蚀方法，包括表面保护膜压合、激光器启动、保护膜热刻蚀、清洗、铜层蚀刻五道工序。首先将表面保护膜在下述条件下压合到待热刻蚀基板上：压合温度：110～120℃；压合机速度：2.5～3.5m/min；压合压力：3.5～4.5kg/cm2；然后启动振镜模式的小功率激光器，将功率设定为小于50W，并将设计软件中需要热刻蚀区域图形导入其中；第三，将激光扫描振镜呈0～45°对表面保护膜进行X、Y方向各一次热刻蚀，所采用的脉冲宽度为10～30μs，激光频率为5～30KHz，占空比为30～90％，雕刻次数为1～5次，填充初始角度为30～60度，累进角度为60～120度；而后经清洗和铜层蚀刻后得到AMB覆铜陶瓷基板图形。 |
