一种双绝缘层日盲紫外光敏薄膜晶体管的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110590641.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113314642B | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN113314642B | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/113;H01L31/032;H01L31/0224 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高晓红;王森;孟冰;陈伟利;杨佳;郭亮;赵阳;王艳杰;迟耀丹;杨小天 | 申请（专利权）人 | 吉林建筑大学 |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘小娇 |
| 地址 | 130000 吉林省长春市新城大街5088号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种双绝缘层日盲紫外光敏薄膜晶体管的制备方法，包括：步骤一、对衬底进行预处理后，通过光刻剥离技术在衬底上曝光显影出栅极区域，并在栅极区域蒸镀导电膜，得到第一基底；步骤二、在第一基底上通过光刻剥离技术显影出第一堆叠区域，在第一堆叠区域沉积Ta2O5薄膜，得到第二基底；其中，第一堆叠区域栅极区域部分重叠；步骤三、在第二基底的Ta2O5薄膜上沉积MgO薄膜，得到第三基底；步骤四、在第三基底的MgO薄膜上沉积Mg0.5Zn0.5O薄膜，得到第四基底；步骤五、在第四基底上通过光刻剥离技术曝光显影出第二堆叠区域，在第二堆叠层区域沉积叉指电极层，得到晶体管；其中，第二堆叠区域位于Mg0.5Zn0.5O薄膜上方，并且第二堆叠区域的边缘与Mg0.5Zn0.5O薄膜的边缘完全重合。 |
