一种晶片上料装置及其上料方法

基本信息

申请号 CN202210059780.1 申请日 -
公开(公告)号 CN114400198A 公开(公告)日 2022-04-26
申请公布号 CN114400198A 申请公布日 2022-04-26
分类号 H01L21/677(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 唐志强 申请(专利权)人 绍兴奥美电子科技有限公司
代理机构 杭州六方于义专利代理事务所(普通合伙) 代理人 方威
地址 312500浙江省绍兴市新昌县七星街道省级高新技术园区内新涛路69号美盛文化6号厂房(住所申报)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种晶片上料装置及其上料方法,上料装置包括上料台与输送带,上料台设有贯穿的通道,输送带从通道中通过;上料台设有供料筒,供料筒内设有料腔,料腔内投放晶片,料腔贯穿供料筒与上料台,并与通道连通;上料台还设有托料机构。上料时,通过托料机构切换承托状态来达到由下而上依次下放晶片到输送带的目的,托料结构切换承托状态由相应的操作程序控制,实现了以完全自动化方式依次上料到输送带;上料过程无需人为操作,提高了上料精度与上料均匀性,体现于晶片在输送带上的上料位置以及相邻之间的上料间距,对于后续的操作工序具有明显的促进作用;降低了工人的工作负担,提高上料效率,进而提升晶片的生产效率,降低人力成本。