气雾化制粉用高硅铝合金熔体流动性、纯净度控制方法

基本信息

申请号 CN202111349455.0 申请日 -
公开(公告)号 CN114101689A 公开(公告)日 2022-03-01
申请公布号 CN114101689A 申请公布日 2022-03-01
分类号 B22F9/08(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22C1/06(2006.01)I;C22C21/02(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I 分类 铸造;粉末冶金;
发明人 宗福春;李海军;胡增武;李云飞;于洋;王辰浩;李作平;左李庆;葛素静;齐敬 申请(专利权)人 河北新立中有色金属集团有限公司
代理机构 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 李瑞雨
地址 071000河北省保定市清苑区发展西路338号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种气雾化制粉用高硅铝合金熔体流动性、纯净度控制方法,包括:配料:选取高等级纯度的工业硅、纯铝、中间合金等作为原材料,按照成分要求配料;熔炼:按照一定顺序加入炉料,采用中频真空感应炉按照规定的熔化控制程序熔炼炉料;净化:添加精炼剂,去除夹渣,同时利用磁化作用,定向移动熔体,利于沉淀和扒渣;合金化:添加合金元素,改变熔体热力学状态;导流管配置:配以合理直径、长度、粗糙度等要求的带发热套的导流管,最终得到高纯净度、良好流动性的熔体。本发明实现了对高纯净度、良好流动性高硅铝合金熔体的控制,提高了气雾化制粉的成品率,大大降低了雾化室导流管的堵塞现象。