高压芯片出光单元
基本信息
申请号 | CN201710735268.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109427948A | 公开(公告)日 | 2019-03-05 |
申请公布号 | CN109427948A | 申请公布日 | 2019-03-05 |
分类号 | H01L33/58;H01L33/48 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 孙智江 | 申请(专利权)人 | 海迪芯半导体(南通)有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 215000 江苏省苏州市相城经济开发区漕湖产业园朝阳工业坊 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种高压芯片出光单元,包括一立方体的边缘调整座,所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面,所述的凹陷内设置有高压芯片,所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面,出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合,所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构,从而整体上构成一种花蕊花瓣结构,所述的边缘调整座的顶面上四个角落各自凸起形成光学微调结构,每个所述的光学微调结构包括一朝外倾斜的斜面。由于采用了本发明的结构,在光斑的边缘位置周围减少杂光,形成边缘清晰均匀分布的光斑。 |
