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一种用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法和老化设备

基本信息

申请号	CN202010843626.4	申请日	-
公开（公告）号	CN111983416A	公开（公告）日	2020-11-24
申请公布号	CN111983416A	申请公布日	2020-11-24
分类号	G01R31/26(2014.01)I	分类	测量；测试;
发明人	赵秋森	申请（专利权）人	无锡摩斯法特电子有限公司
代理机构	北京慧诚智道知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	李楠
地址	214100江苏省无锡市建筑西路599-1（1号楼）八楼807、808室
法律状态	-

摘要

本发明实施例涉及一种用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法和老化设备，所述方法包括：控制电路输出第一控制信号，控制可控电压源向待老化VDMOS器件的漏极施加正电压至达到待老化VDMOS器件的击穿电压；在设定老化时间内，控制电路获取待老化VDMOS器件的漏源电流的第一实时监测信号，并且获取待老化VDMOS器件的器件表面温度的第二实时监测信号，根据第一实时监测信号和第二实时监测信号输出第二控制信号；可控电压源根据第二控制信号调整输出电压，使得待老化VDMOS器件的漏源电流在第一预设范围内且器件表面温度在第二预设范围内；计时结束后，对待老化VDMOS器件进行降温处理后从老化设备中取出，得到老化处理后的沟槽栅VDMOS器件。