一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构
基本信息
| 申请号 | CN201821420851.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208570602U | 公开（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申请公布号 | CN208570602U | 申请公布日 | 2019-03-01 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵少峰 | 申请（专利权）人 | 无锡摩斯法特电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京慧诚智道知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李楠 |
| 地址 | 214135 江苏省无锡市无锡新区清源路18号太湖国际科技园传感大学科技园530大厦C708号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型实施例涉及一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构,布图结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：元胞包括：第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和两个接触孔；第一沟槽栅与第二沟槽栅沿第二方向相互平行设置，第三沟槽栅为S型，置于第一沟槽栅与第二沟槽栅之间；一个接触孔置于第三沟槽栅与第二沟槽栅之间，另一个接触孔置于第三沟槽栅与第一沟槽栅之间；其中，接触孔至第一沟槽栅、第二沟槽栅和第三沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；第三沟槽栅至第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距；每个元胞的第二沟槽栅与在第一方向上相邻一个元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅；第一方向与第二方向相垂直。 |
