一种SiCMOSFET器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202110964351.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113707626A | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN113707626A | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | H01L23/48（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人 | 福建晋润半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳至诚化育知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘英 |
| 地址 | 361011福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种SiCMOSFET器件结构，包括封装壳体、引脚、凹槽、镀银层、散热块、散热鳍、耳板、导热膜、硅胶片、导热柱和镂空槽。本发明结构巧妙，装置的引脚上开有凹槽，引脚上开有镂空槽，且镂空槽位于凹槽内，用镊子夹持住引脚远离封装壳体靠近凹槽处，然后弯折引脚，在凹槽和镂空槽的作用下，大大降低了引脚折弯处的结构强度，此时可轻松的将引脚由凹槽处折弯，不仅方便了引脚的折弯，同时限定了装置的折弯位置，避免了装置因引脚的硬度高，引脚折弯困难，以及折弯时因折弯位置不对导致多折或者少折情况的发生，有利于装置的安装。 |
