一种提高耐压的半超结MOSFET结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201711339729.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108091685A | 公开（公告）日 | 2018-05-29 |
| 申请公布号 | CN108091685A | 申请公布日 | 2018-05-29 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈利;张军亮;姜帆;刘玉山;徐承福 | 申请（专利权）人 | 福建晋润半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 362200 福建省泉州市晋江市世纪大道三创园创客大街C区217室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种提高耐压的半超结MOSFET结构及其制备方法，半超结MOSFET结构包括至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括第一导电类型衬底和位于所述第一导电类型衬底上方的第一导电类型漂移层；所述第一导电类型漂移层内设置元胞沟槽，元胞沟槽内设置屏蔽栅结构，在元胞沟槽的槽底设置一个或多个第二导电类型岛区，第二导电类型岛区依次竖向排列且最上端的第二导电类型岛区与元胞沟槽的槽底接触，利用第二导电类型岛区以及第一导电类型辅助层能有效增加沟槽的深度，优化元胞沟槽的槽底掺杂，能进一步提高MOSFET器件的耐压能力，利用上部分的屏蔽栅结构可以降低器件的导通压降，此设计与现有工艺兼容，安全可靠。 |
