一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计及使用方法
基本信息
| 申请号 | CN202110964335.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113690204A | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN113690204A | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H01L23/367（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H05K3/34（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人 | 福建晋润半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳至诚化育知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘英 |
| 地址 | 361011福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种可沟槽刻蚀的超结功率MOSFET结构设计及使用方法，包括金氧半场效晶体管，所述金氧半场效晶体管的两侧壁均卡合连接有散热片，所述金氧半场效晶体管的源极引脚、栅极引脚和漏极引脚的底端均卡合连接有焊块。本发明通过在超结功率MOSFET的侧壁表面刻蚀卡槽，并在卡槽内部卡合散热片，在超结功率MOSFET工作时，散热片可以起到一定的散热作用，从而避免超结功率MOSFET被烧毁；本发明通过在栅极引脚、漏极引脚以及源极引脚的底部安装焊块，在安装或者更换超结功率MOSFET时，无需使用锡条焊接，方便了使用者的更换安装工作，同时，焊块方便拆装，也可以给使用者选择是否使用焊块。 |
