一种自旋极化耦合的GaNMOSFET
基本信息
| 申请号 | CN202110963314.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113690208A | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN113690208A | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H01L23/48（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;F16F15/067（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人 | 福建晋润半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 东莞市卓易专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 魏昕 |
| 地址 | 361011福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种自旋极化耦合的GaNMOSFET，包括GaNMOSFET，所述GaNMOSFET的底部电性连接有第一引脚，所述第一引脚的底端通过转轴转动连接连接块，所述连接块的底端通过弹簧弹性连接第二引脚。本发明通过在连接块与第二引脚之间设置弹簧，可以有效的增加抗振性能，当安装GaNMOSFET设备发生振动后，弹簧可以吸收部分动能，从而第一引脚或者第二引脚因振动而导致与设备断开连接的情况；本发明设置的第一引脚与连接块转动连接，安装好GaNMOSFET后，可以将GaNMOSFET弯折收起，不仅可以降低GaNMOSFET的重心，减小振动影响，同时也可以缩小安装空间。 |
