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一种非对称MOSFET器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN201711342250.3	申请日	-
公开（公告）号	CN108110058A	公开（公告）日	2018-06-01
申请公布号	CN108110058A	申请公布日	2018-06-01
分类号	H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	陈利;张军亮;姜帆;刘玉山;徐承福	申请（专利权）人	福建晋润半导体技术有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	362200福建省泉州市晋江市世纪大道三创园创客大街C区217室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种非对称MOSFET器件及其制备方法，其包括半导体基板和位于半导体基板中心区的元胞区；所述元胞区的元胞沟槽位于相邻第二导电类型柱之间，所述第二导电类型柱从所述第一导电类型外延层的顶部垂直向下延伸，所述元胞沟槽内设置有绝缘氧化层，所述绝缘氧化层覆盖元胞沟槽的侧壁和底壁，还覆盖在元胞沟槽槽口外侧的第一导电类型外延层上；所述元胞沟槽内填充有导电多晶硅，所述导电多晶硅覆盖在元胞沟槽槽口外的绝缘氧化层上。采用这种非对称结构后，左边元胞结构可以改变雪崩时电流的流经通道，使得MOSFET器件关断时规避第一导电类型外延层的电阻，避免NPN管开启，从而提高雪崩耐量；而右边的元胞结构又可以保证导通电阻不会太小。