一种ESD保护电路
基本信息
| 申请号 | CN201721470177.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207367971U | 公开（公告）日 | 2018-05-15 |
| 申请公布号 | CN207367971U | 申请公布日 | 2018-05-15 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L21/8232 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张军亮;陈利 | 申请（专利权）人 | 福建晋润半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 362200 福建省泉州市晋江市世纪大道三创园创客大街C区217室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种ESD保护电路，包括GCNMOS结构、达林顿复合晶体管和电阻R1、R2；所述GCNMOS结构包括NMOS管、电容C和电阻Rp；所述NPN1和NPN2的基极分别通过所述电阻R1、R2连接到GND，所述NPN1和NPN2的集电极和所述NMOS管的漏极连接到PAD。本实用新型采用GCNMOS触发达林顿晶体管来泄放ESD瞬态电流；与GGNMOS触发的达林顿晶体管相比，GCNMOS触发结构具有触发电压Vt1较GGNMOS低且易于调控的优点；本实用新型中GCNMOS对ESD瞬态电流的响应比达林顿晶体管更快，且GCNMOS在多指（multi‑fingers）结构下能够均匀开启，具有GCNMOS和达林顿晶体管两条电流泄放路径，对受保护器件的ESD保护更有效。 |
