一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法
基本信息
| 申请号 | CN202110964333.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113690194A | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN113690194A | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H01L23/04（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人 | 福建晋润半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳至诚化育知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘英 |
| 地址 | 361011福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法，一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构，包括双极晶体管IGBT，所述双极晶体管IGBT的外壁顶端通过固定套接有盖板，所述盖板的顶部开设有滑槽，所述滑槽的内部滑动连接有接线端子，所述接线端子通过导线与双极晶体管IGBT的端子电性连接。本发明设置的接线端子可以在滑槽中进行滑动，当双极晶体管IGBT所连接的元器件连接位于双极晶体管IGBT不匹配时，无需重新的双极晶体管IGBT内部结构进行设计，也无需借助其它工具进行连接，直接移动接线端子的位置即可。 |
