一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法

基本信息

申请号	CN202110956390.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113690317A	公开（公告）日	2021-11-23
申请公布号	CN113690317A	申请公布日	2021-11-23
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L23/32（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	陈利;陈彬	申请（专利权）人	福建晋润半导体技术有限公司
代理机构	东莞市卓易专利代理事务所（普通合伙）	代理人	魏昕
地址	361011福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元
法律状态	-

摘要

本发明涉及超结结构半导体技术领域，且公开了一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，包括半导体基板和主板，所述半导体基板包括规则排布的五组np组合柱及位于所述np组合柱底部的n+漏极层，所述五组np组合柱的顶部设有表面n层，所述表面n层上设有半导体，该具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，通过在器件制作完成进行安装使用时，将n+漏极层底部的保持框通过平衡板对应主板上安装螺孔的位置进行压持，通过旋紧螺栓使平衡板与主板进行固定，使得MOSFET器件在安装后可保持稳定，避免在后续其他器件的安装操作时碰撞到MOSFET器件后导致针脚弯曲甚至断裂，保证了MOSFET器件的正常使用，适用性较高。