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一种精准控制单晶生长界面的方法

基本信息

申请号	CN202111680189.X	申请日	-
公开（公告）号	CN114318513A	公开（公告）日	2022-04-12
申请公布号	CN114318513A	申请公布日	2022-04-12
分类号	C30B15/28（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	张欢;郝晓明;张宏浩;吴志强;崔彬;姜舰;连庆伟;李超	申请（专利权）人	山东有研半导体材料有限公司
代理机构	北京北新智诚知识产权代理有限公司	代理人	刘秀青
地址	253012山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号（中元科技创新创业园）A座921室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种精准控制单晶生长界面的方法，包括以下步骤：（1）等径直径稳定后，通过单晶炉客户端依次获得等径过程中直径稳定位置A和单晶重量W1、位置B和单晶重量W2、位置C和单晶重量W3；其中位置C为生长界面所在位置，计算位置A到位置B的单晶重量随着长度的变化率α＝（W2‑W1）/（B‑A）、以及位置B到位置C的单晶重量随着长度的变化率β＝（W3‑W2）/（C‑B）；（2）通过计算确定出单晶理论重量随长度的变化率m，按照m随长度的变化得到一条线，并以此线作为基准线；（3）比较α和β的数值，若m＜α＜β，则判断生长界面为凸面，提升拉速；若m＞α＞β，则判断生长界面为凹面，降低拉速；（4）随着单晶长度增加，不断比较连续两段的重量随长度的变化率值，及时调整拉速。