一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111616066.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114346924A | 公开（公告）日 | 2022-04-15 |
| 申请公布号 | CN114346924A | 申请公布日 | 2022-04-15 |
| 分类号 | B24D18/00（2006.01）I;B24B1/00（2006.01）I;B28D5/04（2006.01）I;B28D5/00（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 钟耕杭;王新;边永智;宁永铎;徐继平;张健华;韩萍;林霖;田凤阁;李钧宏;颜俊尧;朱晓彤 | 申请（专利权）人 | 山东有研半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘秀青 |
| 地址 | 253012山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号（中元科技创新创业园）A座921室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法，包括以下步骤：（1）采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm；控制晶体生长时液面位置+/‑0.5mm波动范围；（2）进行滚磨及线切割；（3）进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，1000‑3000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；（4）进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在5‑15μm，酸腐蚀去除量控制在15‑20μm；（5）进行抛光，抛光转速控制在30‑50rpm，压力控制在300‑500kg，化学液浓度控制在1∶15‑1∶30，pH值控制在9‑13，蜡膜厚度控制在1‑3μm；（6）进行清洗检测；（7）进行边缘形状评估。 |
