一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法
基本信息
| 申请号 | CN202111593665.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114318507A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114318507A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王凯磊;李英涛;王万华;皮小争;方峰;崔彬 | 申请（专利权）人 | 山东有研半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘秀青 |
| 地址 | 253012山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号（中元科技创新创业园）A座921室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法，等径过程中炉内压力变化如下：（1）等径前期：炉内压力保持为75‑105Torr之间某一值不变或由75‑105Torr均匀升高到90‑160Torr；（2）等径中期：从等径前期的炉内压力均匀下降到85‑65Torr或维持在等径前期的炉内压力不变；（3）等径后期：维持在等径中期的炉内压力不变或从等径中期的炉内压力均匀下降到75‑50Torr后再维持最低压力不变；晶体拉速的变化如下：（1）等径前期：晶体拉速从45‑65mm/hr均匀降到40‑25mm/hr；（2）等径中期和等径后期：晶体拉速保持在等径前期的最低拉速不变。本发明能够有效解决大直径砷单晶等径卡、电阻率高的问题，提高单晶成晶率，获得完好的大直径低阻硅单晶。 |
