一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111594443.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114318508A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114318508A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王万华;李英涛;王凯磊;皮小争;方峰;崔彬 | 申请（专利权）人 | 山东有研半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘秀青 |
| 地址 | 253012山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号（中元科技创新创业园）A座921室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法，在等径工序中，所采用的工艺为：（1）等径前期，炉室压力由70‑90Torr升到180‑220Torr；（2）等径中期，炉室压力维持在等径前期升至的高压不变；（3）等径后期，炉室压力由所述高压降到120‑150Torr；在整个等径过程中，晶体拉速以每毫米等径长度下降0.01‑0.2mm/hr的速度下降，在整个等径过程中，晶体拉速由55‑60mm/hr降至20‑25mm/hr。本发明通过控制晶体的拉速和炉室压力，能够克服等径后期因分凝导致杂质浓度过大出现位错的现象，从而获得无位错的完整单晶。 |
