一种5G高频用超低介电常数中空二氧化硅及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010152657.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111232993B | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN111232993B | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00 | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 宋锡滨;马雁冰;李心勇;潘光军 | 申请（专利权）人 | 上海国瓷新材料技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京智桥联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杜瑞锋 |
| 地址 | 257091 山东省东营市经济开发区辽河路24号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于材料化学技术领域，具体涉及一种5G高频用超低介电常数中空二氧化硅材料，并进一步公开其制备方法与应用。本发明所述中空二氧化硅材料为具有一定闭合空腔结构的无定型二氧化硅粉体材料，其壳体表面及内部光滑平整，壳体具有气孔，利用二氧化硅和空气的复合特性，使得整个高频带上介电常数、介电损耗趋于稳定，在5G高频20‑43.5GHz范围内介电常数为1.5‑3.3，克服传统陶瓷材料高介电损耗的缺点，适用于5G通讯消费电子芯片封装陶瓷基板、玻璃陶瓷共烧基板等应用领域。 |
