半导体激光器、巴条及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010431954.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111641102A | 公开（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申请公布号 | CN111641102A | 申请公布日 | 2020-09-08 |
| 分类号 | H01S5/028(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 胡海;谢曳华;邱于珍 | 申请（专利权）人 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 地址 | 518052广东省深圳市南山区西丽镇茶光路1089号深圳集成电路设计应用产业园404 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了半导体激光器、巴条及制作方法，其中，半导体激光器，包括：衬底；外延结构，覆盖于所述衬底的上表面；第一绝缘层，覆盖于所述外延结构的上表面，并在厚度方向开设有贯穿的电流注入窗口；第一电极，覆盖于所述第一绝缘层的上表面以及所述外延结构通过所述电流注入窗口外露的部分的上表面；第二绝缘层，在对应所述电流注入窗口位置处覆盖于所述第一电极的上表面，在所述第一绝缘层上的投影的外轮廓与所述电流注入窗口的边缘相对应，以使得所述第二绝缘层可以部分或地抵消所述第一绝缘层在所述电流注入窗口的边缘处对所述外延结构产生的应力。通过上述方式，本发明能够减小工艺过程中引入的应力对半导体材料造成的影响。 |
