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一种新型双倍电流IGBT封装结构及其方法

基本信息

申请号	CN202010536799.1	申请日	-
公开（公告）号	CN111653531A	公开（公告）日	2020-09-11
申请公布号	CN111653531A	申请公布日	2020-09-11
分类号	H01L23/367(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	王丕龙;朱文辉;王新强;潘庆波	申请（专利权）人	青岛恒芯半导体有限公司
代理机构	武汉聚信汇智知识产权代理有限公司	代理人	青岛恒芯半导体有限公司
地址	266000山东省青岛市城阳区长城路89号海峡两岸产业园2栋7楼
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种新型双倍电流IGBT封装结构，包括基板，所述基板的顶部开设有凹槽，所述凹槽的内部自上而下依次设置有导热层和隔热层，所述导热层的的顶部设置有IGBT模块，所述IGBT模块的一侧设置有电极，隔热层将IGBT模块与基板隔离开，IGBT模块周围为高温区，基板底部为低温区，第一导热管和第二导热管通过导热层将IGBT模块产生的热量通过内部填充的液态金属冷却剂传递到基板的底部，基板的底部与散热块形成较大热差，散热块将基板底部的热量传递到散热片，散热管增大散热片与空气的接触面积，散热片将热量交换到温度较低的空气中，从而使双倍电流IGBT封装结构具有更好的散热效果，使IGBT模块能够承受更大的电流。