弧光离子源增强磁控溅射装置
基本信息
| 申请号 | CN200820065576.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201169620Y | 公开（公告）日 | 2008-12-24 |
| 申请公布号 | CN201169620Y | 申请公布日 | 2008-12-24 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01);C23C14/46(2006.01) | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 余益飞;杨兵;黎明;付德君 | 申请（专利权）人 | 武汉新铬涂层设备有限公司 |
| 代理机构 | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人 | 江钊芳 |
| 地址 | 430072湖北省武汉市武昌华光大道8号3－402 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种弧光离子源增强中频磁控溅射装置，用于硬质保护涂层的快速制备。本装置由真空室、磁控溅射装置、弧光离子源和基片架构成，磁控靶垂直安装于真空室侧面，配备有大功率中频开关电源，背面通有循环冷却水；弧光离子源阴极灯丝置于真空室的顶部，阴极灯丝由一个交流电源为灯丝供电，同时接弧电源的阴极，旋转基片架的转轴位于真空室中心，基片竖直放置，基片架下安置电极板，与弧电源的阳极相连接。使用本装置镀膜分为离子清洗和气相沉积两个过程。本装置充分发挥了弧光离子源和磁控溅射的优点，沉积速度快、表面光洁度好，最适合用于氮化铬等硬质保护涂层的快速制备，属于环境友好型替代电镀铬的装置，生产过程无污染。 |
