一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置
基本信息
| 申请号 | CN200820065545.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201169619Y | 公开（公告）日 | 2008-12-24 |
| 申请公布号 | CN201169619Y | 申请公布日 | 2008-12-24 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01);C01G15/00(2006.01) | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 余益飞;何俊;付德君 | 申请（专利权）人 | 武汉新铬涂层设备有限公司 |
| 代理机构 | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人 | 江钊芳 |
| 地址 | 430072湖北省武汉市武昌华光大道8号3－402 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，真空室内安装有中频磁控溅射装置和阳极层离子源，设有旋转基片架，基片架接有负偏压和加热控制系统。磁控溅射靶池接中频开关电源，靶池内装有液态镓，受靶池背面水冷却而变成固体。阳极层离子源水平安装且与磁控溅射靶平行，配备有可调电源，阳极层离子源通过导磁板安装有内阴极、外阴极、阳极、外极靴与内极靴。中频磁控溅射装置和阳极层离子源的结合，使镀膜区的等离子体密度大幅度提高，快速沉积氮化镓，同时增强氮化镓与基片材料的附着力，最终快速完成氮化镓薄膜制备。本装置最适合用于需在较低温度下完成的平板薄膜、晶体管显示器以及太阳电池等器件的氮化镓薄膜制备。 |
