半导体复合晶圆及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010734727.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111952151A | 公开（公告）日 | 2020-11-17 |
| 申请公布号 | CN111952151A | 申请公布日 | 2020-11-17 |
| 分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 万明 | 申请（专利权）人 | 苏州赛万玉山智能科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 苏州赛万玉山智能科技有限公司 |
| 地址 | 215311 江苏省苏州市昆山市巴城镇石牌相石路1599号6号房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体复合晶圆，所述半导体复合晶圆包括一单晶晶圆层，所述单晶晶圆层具有第一厚度，背面复合有陶瓷材料层，所述陶瓷材料层具有第二厚度，与所述单晶晶圆层同质。由于所述陶瓷材料层与所述单晶晶圆层同质，所以两者将拥有相同的热膨胀系数，后续在所述半导体复合晶圆上进行外延及芯片制作将无需特别更改工艺，芯片制作完全后背面减薄主要是将所述半导体复合晶圆中的陶瓷材料层减薄去除，保留相应的单晶晶圆层以及可能的外延层材料即可。所述半导体复合晶圆中的单晶晶圆层的厚度远小于一般纯单晶晶圆的厚度，极大地提高单晶材料的利用率，节省了大量昂贵的单晶材料，同时也降低了相应的晶圆以及芯片加工成本。 |
