一种集成电路结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010332408.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111490019B | 公开（公告）日 | 2022-01-07 |
| 申请公布号 | CN111490019B | 申请公布日 | 2022-01-07 |
| 分类号 | H01L23/29（2006.01）I;H01L23/24（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I;H01L21/54（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨振洲 | 申请（专利权）人 | 济南南知信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津心知意达知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨正律 |
| 地址 | 300382 天津市南开区科研西路12号157、159室（科技园） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种集成电路结构及其制造方法，其利用在衬底中形成第一密封层以及在衬底上形成第二密封层，并使得所述第一密封层和第二密封层均为压应力，来抵消衬底的翘曲力。并且，第一密封层和第二密封层的无机填充料的填充比不同，以使得两者具有压应力差，能够保证衬底不翘曲的同时，保证第一密封层和第二密封层的结合力。 |
