一种半导体管芯的封装构件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010371494.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111508852B | 公开（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申请公布号 | CN111508852B | 申请公布日 | 2022-01-18 |
| 分类号 | H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/552（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 侯新飞 | 申请（专利权）人 | 济南南知信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗华 |
| 地址 | 510000 广东省广州市黄埔区科学大道18号A栋307房（仅限办公） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种半导体管芯的封装构件及其制备方法，包括以下步骤：在线路基板上设置一半导体管芯，对所述半导体管芯的四周边缘进行刻蚀，使得所述半导体管芯四周的侧面为倾斜侧表面，接着在所述半导体管芯上依次形成第一聚乙烯醇层、第一银纳米线层、第二聚乙烯醇层、第二银纳米线层、第三聚乙烯醇层、第三银纳米线层，接着形成模塑层，在所述模塑层中形成导电结构，使得所述导电结构与所述半导体管芯的所述下表面的边缘的间距小于5微米，使得所述导电结构与所述线路基板电连接，接着进行切割工艺，以形成半导体管芯的封装构件。 |
